本篇論文研究以低能(小於60 電子伏特)氬離子源照射二氧化矽/富矽二氧化矽超晶格中的富矽二氧化矽層，並研究此超晶格結構的結晶與光學特性。有別於代表作2使用的氫離子源，氬離子源較惰性而動量較大，與奈米矽晶的表面反應有不同的節果。研究發現，氬離子源照射不會改變該層的化學組成與氧含量，但是會增強富矽二氧化矽材料相分離的程度與矽奈米晶的數量。因為E’輻射複合中心的增強，使得矽奈米晶的紅光(~720nm)與E’的綠光(~500 nm)結合，讓元件無須螢光粉而可以自發可見光白光。離子源的處理讓元件發光的色溫由3021 K 的暖白增加到照明常用的5204 K，展現出照明元件的應用潛力，因此發表於光學領域的頂級期刊。