Cu2ZnSnS4(CZTS)被認為是下一世代薄膜太陽能電池的吸收層。影響此光吸收層品質的瓶頸在於硫化過程中，吸收層與鉬基板的接面不匹配會形成Cu2S, ZnS, 和 SnS的二次相與孔洞問題，這些問題造成CZTS效率難以像CIGS以達20%的主因，雖然理論的上限接近。本篇論文提出以SnS當作緩衝層的方式，改善介面的特性。研究顯示，SnS緩衝層使得吸收層內元素擴散的問題，不會在硫化過程中太過激烈，增加了元素分布的均勻性，同時改善了元件效率。完整的材料、電性、光性分析與晶粒成長模型在文中被提出。透過緩衝層的改質與熱處理，實驗室的元件光轉換效率已超過10%，在溶液法中已達世界第二。我們目標在2016創造轉換效率紀錄。技轉與專利布局都在進行中。